撮像装置、撮像装置の制御方法、画素構造

Imaging device, control method of imaging device, pixel structure

Abstract

【課題】高感度撮影を行う場合に、リセット時間を短縮する。【解決手段】本実施の形態の撮像装置は、画素の受光部に、フォトトランジスタを備える撮像装置であって、画素間を分離する埋め込み電極と、埋め込み電極と隣接して配置される第1のエミッタと、第1のエミッタと埋め込み電極との距離よりも、埋め込み電極から離れて配置される第2のエミッタと、を有することにより上記課題を解決する。【選択図】図1
【課題】高感度撮影を行う場合に、リセット時間を短縮する。 【解決手段】本実施の形態の撮像装置は、画素の受光部に、フォトトランジスタを備える撮像装置であって、画素間を分離する埋め込み電極と、埋め込み電極と隣接して配置される第1のエミッタと、第1のエミッタと埋め込み電極との距離よりも、埋め込み電極から離れて配置される第2のエミッタと、を有することにより上記課題を解決する。 【選択図】図1
PROBLEM TO BE SOLVED: To shorten the reset time when performing high-sensitivity shooting.SOLUTION: An imaging device including a photodiode in the light-receiving part of a pixel has an embedded electrode for separating between pixels, a first emitter arranged adjacently to the embedded electrode, and a second emitter arranged while separated farther from the embedded electrode than the distance between the first emitter and embedded electrode.SELECTED DRAWING: Figure 1

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